Теоретический семинар по ФКС
Спаривание дипольных экситонов в полупроводниковых гетероструктурах
Докладчик Андреев С.В. ПодробнееАннотация
Речь пойдёт об экситонах Ванье-Мотта сформированных из электронов и дырок находящихся в двумерных слоях пространственно разделённых в
поперечном направлении. Такие экситоны обладают дипольным моментом. Дипольное отталкивание препятствует формированию биэкситонов. Биэкситон
как связанное состояние, однако, не просто исчезает при разделении слоёв, а проходит через качественно иную форму - квазидискретный уровень. Резонанс на таком уровне проявляется во взаимодействии экситонов при низких температурах и приводит к формированию новых коллективных состояний. Я расскажу о возможном проявлении эффекта
резонансного взаимодействия в экспериментах по когерентной кристаллизации экситонов, фазовом переходе экситонного газа в “тёмную” жидкость, а также в эксперименте над дипольными поляритонами обнаружившем аномально большой “голубой" сдвиг поляритонной линии излучения.